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热门关键词:芯片解密芯片破解逆向工程抄板工程

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为你简单介绍一下解密工具FBI是什么

文章出处:常见问题 责任编辑:深圳普龙电子有限公司 发表时间:2021-01-19
  

为了让大家进一步的了解芯片解密,我们需要先了解一下FIB法芯片解密过程中必须用到的一台仪器FIB。以下会列出其中一种FIB的参数及附上工作间的图片,以供大家有直观的了解。了解了就没有什么神秘感了。

FIB性能参数:
型号:FEI DualBeam 820。FIB/SEM(离子束/电子束)双束机台
大陆地区第一台投入商业服务的Dual-Beam双束机台
最精准分辨率高达7nm
可同时提供FIB聚焦离子束切割修改与SEM电子束影像观察
微线路切割,卤素气体辅助蚀刻
纵向切割 Cross-Section
深层微沉积,沉积金属物为白金/钨
VC (Voltage Contrast)电位对比测试,判断连接线(metal, poly, contact, via)之open/ short。
微线路修改最高制程可达0.13um,支持8英寸wafer。

FIB主要应用范围:
微线路修改(Microcircuit Modification)
可直接对金属线做切断、连接或跳线处理。相对于再次流片验证, 先用FIB工具来验证线路设计的修改,在时效和成本上具有非常明显的优势。
测试键生长(Test Pad/Probing Pad Building)
在复杂线路中任意位置镀出测试键,工程师可进一步使用探针台(Probe station)或E-beam直接观测IC内部信号。
纵向解剖 Cross-section
SEM扫描电镜/TEM透射电镜的样片制备。
VC电势对比测试(Voltage Contrast)
利用不同电势金属受离子束/电子束照射后二次电子产量不同致使其影像形成对比的原理,判断metal, poly, contact, via之open/short

FIB原理:
静电透镜聚焦的高能量镓离子,经高压电场加速后撞击试片表面, 在特定气体协作下产生图像并移除或沉淀(连接)。
物质, 其解析度为亚微米级别。离子束实体喷溅加以卤素气体协作, 可完成移除表面物质(纵向解剖/开挖护层、切断金属线),离子束喷溅与有机气体协作则可完成导体沉积(金属线连接、测试键生长)。

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